***功耗SOP8脚人体红外感应IC AEJS012详细介绍

  产品概述
    AEJS012 是一款低功耗的热释电红外传感信号处理器，它配以热释电红外传感器和少量外接元件即可构成被动式的热释电红外开关。
    AEJS012 内置了一级高增益、高输入阻抗的运算放大器和一级固定增益放大器，可与多种传感器匹配，进行信号预处理；AEJS012 还内置了高     精度的参考电压和 LDO，该 LDO 可给热释电红外传感器供电，可有效抑制电源和环境噪声干扰，提高系统可靠性，降低误报率。AEJS012 可      通过调整外围电路进行多种设置：调整感应灵敏度、设置输出延迟时间、设置光控功能等。AEJS012 采用了 SOP8 封装。

   特点
   工作电压范围：2.8V～5.5V

   低待机电流：18uA
   LDO 输出电压：2.6V
   LDO 输出电流：5mA
   内置 2 秒的触发封锁时间，可有效抑制负载切换干扰和重复误动作
   输出延迟时间可调
   光控功能可选，白天可以不工作
   噪声抑制能力强，可靠性高

  应用领域

   各类自动照明、蜂鸣器、自动门、烘干机和自动洗手池等自动开关系统。

   自动报警系统

   极限参数（注 1）
  参数                         符 号                                 描述                       最小值                 值                   单位             

  电压                    V DDMAX                     VDD 引脚的电压值          -0.3                    6                          V
                          V MAX 除                     VDD 外各引脚的电压值    VSS-0.3V            VDD+0.3V
  电流                    I MAX                          各个引脚电流                  -50                    50                        mA
  功耗             P SOP8                         SOP8 封装功耗                                        0.75                      W
  温度                    T A                              工作温度范围                       -20                    70                         o C
                          T STG                          存储温度范围                         -40                     120                      o C
                         T SD                          焊接温度范围（焊接时间 20 秒） 230                    240                       o C
  ESD                  V ESD                        静电耐压值（人体模型）                                     2000                      V
注 1：超过上表中规定的极限参数会导致器件***性损坏。而工作在以上极限条件下可能会影响器件的可靠性

 电特性 电特性
  除非特别说明，V DD =5V，T A =25 o C

 参数                符号                    测试条件                  最小值                     典型值                   值               单位
  电源电压
  电源电压          V DD                                                  2.8                                                     5.5                  V
  电源电流         

  待机电流           I DDQ           V DD =3.3V，无触发，VDD
                                            脚电流，但不包括 PIR 电流                               16                                               uA
                                            V DD =5.0V，无触发，VDD
                                            脚电流，但不包括 PIR 电流                                18                                              uA
   LS 端                                       

  输入高电平     V LSH                                                                                                             1.16                 V

  输入低电平     V LSL                       V DD =5.0V      0.85                                                                            V

  LS 迟滞电压   V LSYS                                                                                110                                               mV

 电特性(接上一页)
  除非特别说明，V DD =5V，T A =25 o C

 参数                   符号                          测试条件                          最小值                       典型值                     值          单位
 LDO
  LDO 输出电压         V CC                       V DD =5.0V                      2.5                           2.6                           2.7              V
  输出电流          I CC                         V DD =5.0V                                                                                    5               mA
  线性调整率             △V CC / V CC           V DD =3.0V～5.0V
                                                             I CC =15uA                                                  0.05                                            %/V
  电源电压抑制比        PSRR                         V DD =+1V+1V ppAC
                                                           I CC =15uA,f=100Hz                                        60                                              dB

   触发封锁时间
   触发封锁时间           Ti                          V DD =5.0V                       1.4                         2                             2.6               s
 

  运算放大器OPA
   输入失调电压        V OS                                                                                                                               50             mV
   输入失调电流        I OS                                                                                                                                50             nA
   开环电压增益        A VO                    V DD =5.0V，RL=1.5MΩ          60                                                                           dB
   共模抑制比           CMRR                   V DD =5.0V，RL=1.5MΩ          60                                                                           dB
   输出高电平           V YH                     V DD =5.0V，RL=500KΩ，     4.25                                                                           V
   输出低电平           V YL                       接 0.5 V DD                                                                                         0.75           V

  VO 端
  输出高电平             V OH                 V DD =5.0V，I OH = 35mA         4                                                                               V
  输出低电平             V OL                  V DD =5.0V，I OL = -35mA                                                                        0.4            V
  输出电流                  Io                    V DD =5.0V，V OH = 4.0V                                      35                                               mA

  应用指南
   工作原理
  AEJS012 内部集成了一级运算放大器、一级固定增益放大器、双向鉴幅器、电压比较器、振荡器、带隙基准、LDO、状态控制器、延迟时间定时   器和封锁时间定时器等模块电路，如图 2 所示。其中，由运算放大器 OPA 和相应外接元件组成了传感信号的***级放大电路，内部的固定增益放     大器 AMP 是传感信号的***级放大电路，它将直流电位抬高为 VM（约为 0.5V）后，将输出信号送到由比较器 COMP1 和 COMP2 组成的双向     鉴幅器，检出有效触发信号 VS。当 V LS 大于 V LSH （约为 1V）时，比较器 COMP3 输出高电平，VS 可以触发OUT 为有效状态（高电平），   进入输出延迟时间 Tx。当 Tx 时间结束时，OUT 下跳回低电平，同时启动触发封锁时间定时器而进入触发封锁时间 Ti，在 Ti 时间内，任何 VS
  的变化都不能使 OUT 跳变为高电平，可有效抑制负载切换过程中产生的各种干扰。电源电压尽管芯片在 2.7V～5.5V 范围内都能正常工作，但实    际应用应尽量控制 V DD 在3.0~5.0V 为佳，以得到的稳定性，并且负载启动前后的 V DD 压差不能太大。

  LDO
  AEJS012 内部集成了高电源电压抑制比的 LDO，其输出电源电压 VCC 可以给热释电红外传感器 PIR 供电，能有效提高电路的抗干扰能力。
  虽然芯片内部 LDO 的输出电流可达 5mA，但不建议采用该 LDO 给其它芯片供电，因为这样可能会降低电路的抗干扰能力。 

  PCB 注意事项
   PCB 板上，PIR、R1、C1、Ri、Ci、Rf、Cf 等外接元器件越靠近芯片越好，即PIR 传感器与芯片间的连线越短越好，可以减少干扰，和***级放    大电路相关的连线，也是越短越好，如图 1 中粗黑线所示。PCB 板上的地线应该尽量宽，以提高抗干扰性。芯片外部的电阻、电容等元件采用贴
  片元件有利于提高灵敏度和抗干扰性能。PIR 传感器表面有一层滤光片，安装和调试 PCB 板时不要随意触摸及擦拭，否则会影响灵敏度和抗干扰性   能。因为 PIR 不耐高温，安装焊接 PIR 时，应该采取隔热措施，一般是在 PCB 板和PIR 之间安装一个隔热的底座并尽量缩短焊接时间，隔热底座   的厚度建议在 4mm以上，但是，隔热底座太厚又会使得 PIR的引脚变长，不利于减小干扰，提高感应灵敏度。所以，隔热底座的厚度要合适，